澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发

7月3日消息，澜起澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的科技工程研发，比如PCIe Switch、第代

此外，片再作为MDB芯片国际标准的提速牵头制定者，随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，计划以及公司产品组合的年内不断丰富，澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的完成制定工作。因此，工程为后续产业放量奠定了基础。澜起在最近的科技两个季度实现出货量显著提升，公司引领相关技术的第代创新并保持行业领先地位。澜起科技发布公告表示，片再产品凭借优异的提速性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，以持续巩固技术领先地位。计划

据悉，预计新产品将成为推动公司未来成长的重要引擎。